![[HYGGEE] Relief Sun Moisturizer 50ml](https://hypercape-build.s3.ap-northeast-2.amazonaws.com/images/product/1775617430893_e082b455e54443709820f236f14c7066.jpg)
[HYGGEE] Relief Sun Moisturizer 50ml
10 800 ₸
18 100 ₸
-41%
Ключевые преимущества
• Увлажняющий крем с органическими УФ-фильтрами SPF50+ PA++++ защищает кожу от лучей UVA и UVB, оставляя ее увлажненной и эластичной.
Содержит 37% кипарисовой воды для восполнения влаги в коже.
Вся формула продукта основана на экологически чистых ингредиентах и подходит для чувствительной кожи.
Мягкая, легкая формула легко распределяется, не оставляя белых следов.
Проведено тестирование на раздражение кожи.
Как применять
1. Используйте в качестве завершающего этапа ухода за кожей перед нанесением макияжа.
2. Нанесите умеренное количество средства на лицо и шею за 15 минут до выхода на солнце.
Ингредиенты
Очищенная вода
дибутиладипат
пропандиол
денатурированный спирт
вода из кипариса тучного.
Полный состав
Purified Water, Dibutyl Adipate, Propanediol, Alcohol Denat., Chamaecyparis Obtusa Water, Ethylhexyl Triazone, Terephthalylidene Dicamphor Sulfonic Acid, Glycerin, Niacinamide, Polyglyceryl-3 Distearate, Tromethamine, 1,2-Hexanediol, Pentylene Glycol, Diethylamino Hydroxybenzoyl Hexyl Benzoate, Cetearyl Alcohol, Caprylyl Methicone, Polysilicone-15, Opuntia Coccinellifera Fruit Extract, Ficus Carica Fruit Extract, Centella Asiatica Extract, Adansonia Digitata Fruit Extract, Opuntia Ficus-Indica Stem Extract, Hydrogenated Lecithin, Caprylic/Capric/Succinic Triglyceride, Palmitic Acid, Glyceryl Stearate, Bis-Ethylhexyloxyphenol Methoxyphenyl Triazine, Potassium Cetyl Phosphate, Polymethylsilsesquioxane, Stearic Acid, Methylpropanediol, Xylitylglucoside, Ammonium Acryloyldimethyltaurate/VP Copolymer, Anhydroxylitol, Silica, Xylitol, Ethylhexylglycerin, Polyacrylate Crosspolymer-6, Glyceryl Stearate Citrate, Adenosine, Glucose, Disodium EDTA, Sodium Polyacrylate, Polyether-1, Myristic Acid, Butyl Alcohol, Butylene Glycol, Biosaccharide Gum-1, Alpha-Bisabolol, Tocopherol, Ceramide NP